石墨烯是由單層碳原子構(gòu)成的零帶隙的二維晶體，具有狄拉克錐型的線性能帶結(jié)構(gòu)、超高的載流子遷移率及寬帶光照應(yīng)等特性,。
        石墨烯現(xiàn)在是世上薄卻也是鞏固的納米材料，它幾乎是完全透明的，只吸收2.3%的光；導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300 W/m·K，高于碳納米管和金剛石,，比鉆石還鞏固,，強(qiáng)度比世界上較好的鋼鐵還要高上100倍，常溫下其電子遷移率逾越15000 cm2/V·s,，又比納米碳管或矽晶體（monocrystalline silicon）高,，而電阻率只約10-6Ω·cm，比銅或銀更低,，為現(xiàn)在世上電阻率較小的材料,。    由于它的電阻率極低，電子的移動(dòng)速度極快,，因而被等候可用來(lái)發(fā)展出更薄,、導(dǎo)電速度更快的新一代電子元件或電晶體。由于石墨烯實(shí)質(zhì)上是一種透明,、杰出的導(dǎo)體,，也合適用來(lái)制作透明觸控螢?zāi)弧⒐獍?、甚至是太?yáng)能電池,。
石墨烯的制備方法：
1、機(jī)械剝離法
    機(jī)械剝離法是使用物體與石墨烯之間的抵觸和相對(duì)運(yùn)動(dòng),，得到石墨烯薄層材料的方法,。這種方法操作簡(jiǎn)略，得到的石墨烯一般保持著無(wú)缺的晶體結(jié)構(gòu),。
2,、氧化還原法
    氧化還原法是經(jīng)過(guò)運(yùn)用硫酸、硝酸等化學(xué)試劑及高錳酸鉀,、雙氧水等氧化劑將天然石墨氧化,，增大石墨層之間的間距，在石墨層與層之間插入氧化物,，制得氧化石墨（Graphite Oxide）,。
3,、取向附生法
    取向附生法是使用生長(zhǎng)基質(zhì)原子結(jié)構(gòu)“種”出石墨烯，首先讓碳原子在1150℃下滲入釕,，然后冷卻,，冷卻到850℃后，之前吸收的許多碳原子就會(huì)浮到釕外表,，鏡片形狀的單層的碳原子會(huì)長(zhǎng)成無(wú)缺的一層石墨烯,。
4、碳化硅外延法
    SiC外延法是經(jīng)過(guò)在超高真空的高溫環(huán)境下,，使硅原子進(jìn)步脫離材料,，剩下的C原子經(jīng)過(guò)自組方法重構(gòu)，然后得到基于SiC襯底的石墨烯,。這種方法可以獲得高質(zhì)量的石墨烯,，可是這種方法對(duì)設(shè)備要求較高。
5,、赫默法
    經(jīng)過(guò)Hummer法制備氧化石墨,；將氧化石墨放入水中超聲松散，構(gòu)成均勻松散,、質(zhì)量濃度為0.25g/L～1g/L的氧化石墨烯溶液,，再向所述的氧化石墨烯溶液中滴加質(zhì)量濃度為28%的氨水；將還原劑溶于水中,，構(gòu)成質(zhì)量濃度為0.25g/L～2g/L的水溶液,；將制造的氧化石墨烯溶液和還原劑水溶液混合均勻，將所得混合溶液置于油浴條件下攪拌,，反響結(jié)束后,，將混合物過(guò)濾洗刷、烘干后得到石墨烯,。
6,、化學(xué)氣相堆積法
     化學(xué)氣相堆積法即（CVD）是運(yùn)用含碳有機(jī)氣體為材料進(jìn)行氣相堆積制得石墨烯薄膜的方法。這是出產(chǎn)石墨烯薄膜較有效的方法,。