PECVD石墨舟的制作流程一般分為制絨、擴(kuò)散,、去PSG和刻蝕,、PECVD、絲網(wǎng)印刷,、分選六個(gè)制程,，其間PECVD是影響太陽電池片外觀的重要要素之一，下面捷誠石墨小編就來給我們分享一下怎么下降PECVD返工率及提高電池片的外觀質(zhì)量,，期望能對(duì)我們有所幫助,。
1.PECVD返工片狀況
　　對(duì)于晶硅太陽電池PECVD鍍膜，主要是指在450℃,，以石墨舟為載體,，在真空狀態(tài)下通過射頻電源激發(fā)SiH4和NH3輝光放電發(fā)生等離子體，在硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，生成Si3N4膜的進(jìn)程,。鍍膜條件相對(duì)較多，進(jìn)程比較復(fù)雜,，因此發(fā)生返工片的原因也較多,，依據(jù)實(shí)際出現(xiàn)的返工片的外觀狀況大致可分為：?jiǎn)芜吷睢⑦吔巧?、中心色差,、斑點(diǎn)、水紋印,，劃痕,、硅脫和反常放電片等。
2.PECVD返工原因及辦法
　　鍍膜進(jìn)程中的溫度,、石墨舟,、射頻功率和氣體流量等要素，都是影響鍍膜均勻性的重要原因,，因此不同原因造成的返工片,，對(duì)應(yīng)的處理方法也是有差異的。
（1）邊角色差
　　硅片邊角色彩反常,，多與相對(duì)應(yīng)方位的石墨舟片的距離有關(guān),，距離不同，導(dǎo)致電場(chǎng)改變,，然后引起此處鍍膜速率反常,，色彩不同于其他方位，構(gòu)成色差。常見原因一般有兩種,，一是石墨片之間的陶瓷隔塊破損或缺失,；二是對(duì)應(yīng)方位的陶瓷桿松弛或開裂。
   　處理辦法：查看對(duì)應(yīng)方位的陶瓷隔塊和陶瓷桿,，替換或修理。且每次插片前,，對(duì)陶瓷隔塊和陶瓷桿逐一查看,，可根本杜絕此類事情發(fā)生。
（2）中心色差
　　硅片中心膜厚薄于周邊,，構(gòu)成色差,，一般有兩種原因，一是工藝氣體流量缺乏,，導(dǎo)致鍍膜時(shí)硅片中心方位發(fā)生的等離子體數(shù)量少,，鍍膜速率慢，構(gòu)成色差,；二是定位卡點(diǎn)不合適或磨損嚴(yán)峻,，影響硅片與石墨片的接觸，導(dǎo)致硅片與硅片間的電場(chǎng)變?nèi)?，鍍膜速率由硅片邊際至硅片中心逐漸變慢,，構(gòu)成色差，這種狀況一般出現(xiàn)即會(huì)發(fā)生2片返工片,。
　　處理辦法：（1）查看,、清理進(jìn)氣孔旁的碎硅片，避免堵塞,；（2）查看,、修理對(duì)應(yīng)方位的定位卡點(diǎn)。
（3）劃痕
　　劃痕多源自手動(dòng)下片,，一種原因?yàn)橄缕M(jìn)程中將吸筆刺進(jìn)石墨舟貼住硅片后,，仍有繼續(xù)向下運(yùn)動(dòng)的動(dòng)作，導(dǎo)致發(fā)生劃痕或吸筆??；另一種是因定位卡點(diǎn)磨損嚴(yán)峻或安裝不合適，導(dǎo)致硅片被牢牢卡在與定位卡點(diǎn)接觸的方位,，用吸筆未能一次性將硅片取出,，發(fā)生劃痕。
     處理辦法：對(duì)于第一種狀況,，首先將吸筆吸力調(diào)至合適,，其次，將下片動(dòng)作分解成這樣一個(gè)進(jìn)程：將吸筆刺進(jìn)石墨舟至合適深度，用吸筆頭貼住硅片,，吸住硅片,，向上提出吸筆。這樣調(diào)整后,，一般不會(huì)出現(xiàn)因這種狀況導(dǎo)致的劃痕,。
（4）硅脫
　　硅脫多是因?yàn)橄缕M(jìn)程中硅片與石墨舟陶瓷隔塊或定位卡點(diǎn)的碰撞導(dǎo)致。除去人為要素外,，還有吸筆和定位卡點(diǎn)等要素,。
      處理辦法：（1）清理吸筆頭和吸筆墊，調(diào)整吸筆吸力,；（2）查看,、修理對(duì)應(yīng)方位的石墨舟卡點(diǎn)
（5）反常放電
　　這里所說的反常放電是指相鄰電極被硅片導(dǎo)通，在此附近構(gòu)成強(qiáng)壯電場(chǎng),，發(fā)生大量等離子體,，然后在這部分區(qū)域構(gòu)成彩虹片的進(jìn)程。一般也有兩種原因,，一是鍍膜進(jìn)程中,，舟內(nèi)的碎硅片搭到相鄰電極上；另一種是PECVD爐內(nèi)底部碎硅片堆積多,，在石墨舟被放入爐內(nèi)后,，爐內(nèi)底部碎硅片導(dǎo)通了相鄰的兩片電極。